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| AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者: 贲建伟; 孙晓娟 ; 蒋科; 陈洋; 石芝铭; 臧行; 张山丽; 黎大兵; 吕威
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AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测 |
| 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 韩五月
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光电探测器 日盲紫外 AlGaN材料 金属有机化学气相沉积 金属-绝缘层-半导体结构 |
| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
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石墨烯 Gan 探测器 Mocvd 肖特基接触 |
| 两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者: 韩智明; 缪国庆; 曾玉刚; 张志伟
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两步生长法 Gaas Ingaas Mocvd |
| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
Adobe PDF(3244Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1278/1 | 提交时间：2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 包广宏
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Algan日盲紫外探测器 表面等离激元 Al颗粒制备 |
| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
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| Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain properties of AlN films 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 82-87
作者: Jia H.; Chen Y.-R.; Sun X.-J.; Li D.-B.; Song H.; Jiang H.; Miao G.-Q.; Li Z.-M.
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| 利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 期刊论文
发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 612-616
作者: 缪国庆
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| 自催化InP纳米线的MOCVD生长与表征研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 于淑珍
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