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Optoelectronic Performance of 2D WSe2 Field Effect Transistor 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 257-263
作者:  F.-L. Xia;  K.-X. Shi;  D.-X. Zhao;  Y.-P. Wang;  Y. Fan and J.-H. Li
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Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 810-817
作者:  J.-E. Sui;  J.-W. Ben;  H. Zang;  K. Jiang;  S.-L. Zhang;  B.-L. Guo;  Y. Chen;  Z.-M. Shi;  Y.-P. Jia;  D.-B. Li and X.-J. Sun
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核电池概述及展望 期刊论文
原子核物理评论, 2020, 卷号: 37, 期号: 04, 页码: 875-892
作者:  李潇祎;  陆景彬;  郑人洲;  许旭;  王宇;  刘玉敏;  何瑞;  梁磊
浏览  |  Adobe PDF(2479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：345/120  |  提交时间：2021/07/06
核电池  放射源  辐射伏特效应  自吸收  辐射损伤  电学性能  
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
高效热活化延迟荧光OLED和近红外光探测器及其集成上转换发光器件研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  宋乔刚
caj(10602Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2020/08/24
非掺杂  热活化延迟荧光发光二极管  n型阳极缓冲层  近红外光探测器  上转换发光器件  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
浏览  |  Adobe PDF(2069Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：159/31  |  提交时间：2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:  Li Xiang;  Wang Hong;  Qiao Zhongliang;  Zhang Yu;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan;  Tong Cunzhu;  Liu Chongyang
浏览  |  Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/99  |  提交时间：2019/09/17
Gallium compounds  Antimony compounds  III-V semiconductors  Indium antimonides  Quantum well lasers  Semiconductor lasers  Semiconductor quantum wells  
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  韩五月
caj(3096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2019/09/23
光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构  
Experiment of New Protype Group III-nitride UV Image Converter Tube and Evaluation of Detectable Distance of Missile Approach Warning System with It 期刊论文
Binggong Xuebao/Acta Armamentarii, 2017, 卷号: 38, 期号: 5
作者:  Ren, B.;  Z.-T. Jiang;  H. Guo;  F. Shi;  H.-C. Cheng;  X.-F. Bai;  Z.-H. Shen;  X.-B. Yang;  Y. Zhou and M.-H. Cui
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Reliability Study of Grating Coupled Semiconductor Laser Based on Raman Spectra Technique 期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2016, 卷号: 36, 期号: 6
作者:  Jia, P.;  L. Qin;  X. Zhang;  J. Zhang;  T. Y. Liu;  Z. W. Men and Y. Q. Ning
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