两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质

	两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质
	韩智明; 缪国庆; 曾玉刚; 张志伟
	2015-03-15
发表期刊	发光学报
期号	03 页码:288-292
摘要	利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在Ga As(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响;利用X射线衍射(XRD)分析了缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响;利用拉曼光谱分析了缓冲层厚度对外延层材料合金有序度的影响;通过透射电子显微镜(TEM)观察了外延层材料位错的分布状态,计算了外延层的位错密度。实验结果表明,两步生长法生长的InxGa1-xAs/Ga As异质结材料的缓冲层厚度存在一个最优值。
关键词	两步生长法 Gaas Ingaas Mocvd
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54004
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	韩智明,缪国庆,曾玉刚,等. 两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质[J]. 发光学报,2015(03):288-292.
APA	韩智明,缪国庆,曾玉刚,&张志伟.(2015).两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质.发光学报(03),288-292.
MLA	韩智明,et al."两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质".发光学报 .03(2015):288-292.