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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
Adobe PDF(3244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1260/1  |  提交时间：2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层