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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Sign reversal of planar Hall effect with temperature in La-doped Sr2IrO4 films
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 122, 期号: 2, 页码: 6
作者:
M. R. Liu
;
J. N. Yue
;
J. C. Meng
;
T. N. Shao
;
C. L. Yao
;
X. J. Sun
;
J. C. Nie and D. B. Li
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提交时间:2024/07/03
Optimizing metal/n-AlGaN contact by recessed AlGaN heterostructure with a polarization effect
期刊论文
Nanoscale Advances, 2023, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 2530-2536
作者:
Y. Chen, K. Jiang, X. Sun, Z.-H. Zhang, S. Zhang, J. Ben, B. Wang, L. Guo and D. Li
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提交时间:2024/07/01
High-Performance Photodetector Based on Bi2Se3/GeSe Heterojunction with Band Alignment Evolution
期刊论文
Advanced Optical Materials, 2023, 页码: 8
作者:
Y. H. Li
;
M. Q. Che
;
N. Zhang
;
Y. T. Zou
;
X. Y. Zhao
;
Y. C. Lin
;
B. C. Lv
;
X. B. Ma
;
Y. R. Shi
;
J. J. Yang
;
X. J. Sun
;
S. J. Li and D. B. Li
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提交时间:2024/07/03
High-performance fully transparent Ga2O3 solar-blind UV photodetector with the embedded indium-tin-oxide electrodes
期刊论文
Materials Today Physics, 2023, 卷号: 33, 页码: 6
作者:
C. Zhang, K. W. Liu, Q. Ai, X. Sun, X. Chen, J. L. Yang, Y. X. Zhu, Z. Cheng, B. H. Li, L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2024/08/12
Mechanistic understanding of the interfacial properties of metal–PtSe2 contacts
期刊论文
Nanoscale, 2023, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13252-13261
作者:
L. J. Qi, M. Q. Che, M. X. Liu, B. Wang, N. Zhang, Y. T. Zou, X. J. Sun, Z. M. Shi, D. B. Li and S. J. Li
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提交时间:2024/07/04
Structural and optoelectronic characteristics of β-Ga2O3 epitaxial films with Zn alloying and subsequent oxygen annealing
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2023, 卷号: 11, 期号: 9, 页码: 3227-3234
作者:
X. Sun, K. W. Liu, X. Chen, Q. C. Hou, Z. Cheng, J. L. Yang, Q. Ai, Y. X. Zhu, B. H. Li, L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2024/07/25
Enhancement of crystalline quality and solar-blind photodetection characteristics of ε-Ga2O3 films by introducing Zn impurity
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2023, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 118-124
作者:
X. Sun, K. W. Liu, X. Chen, Y. X. Zhu, Z. Cheng, J. L. Yang, B. H. Li, L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2024/07/25
GaN-Based Ultraviolet Phototransistor With Two Parallel Polarization-Doped Junctions and an Al0.20Ga0.80N Insertion Layer to Achieve Low Dark Current and High Detectivity
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2023, 页码: 6
作者:
Z. Xuan, C. S. Chu, K. K. Tian, Z. J. Zhu, Z. W. Xie, K. Jiang, Y. H. Zhang, X. J. Sun, Z. H. Zhang and D. B. Li
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提交时间:2024/07/26
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
Y. P. Jia
;
M. R. Liu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2023/06/14
Pressure-Driven Abnormal Emission Blue-Shift of Lead-Free Halide Double Perovskite Cs2AgInCl6 Nanocrystals
期刊论文
Inorganic Chemistry, 2022, 卷号: 61, 期号: 17, 页码: 6488-6492
作者:
A. Chen
;
X. L. Jing
;
T. Y. Wang
;
T. T. Zhao
;
Y. Zhang
;
D. L. Zhou
;
R. Sun
;
X. T. Zhang
;
R. Liu
;
B. Liu
;
Q. J. Li and B. B. Liu
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提交时间:2023/06/14