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| 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
发明人: 秦杰明; 姚斌; 张吉英; 申德振 ; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
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| 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-11-10, 公开日期: 2010-11-10
发明人: 秦杰明; 张吉英; 姚斌; 申德振; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
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| 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 王立昆; 张吉英; 郑剑; 单崇新; 申德振; 姚斌; 赵东旭; 李炳辉; 张振中
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| 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
发明人: 蒋大勇; 张吉英; 申德振; 姚斌; 赵东旭; 张振中
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| 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
发明人: 鞠振刚; 张吉英; 单崇新; 申德振; 姚斌; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
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| 用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16
发明人: 赵东旭; 曹萍; 吕有明; 申德振; 李炳辉
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| 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 秦杰明; 姚斌; 张吉英; 申德振; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
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| 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌纳米柱的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2008-10-22
发明人: 曹萍; 赵东旭; 张吉英; 吕有明; 范希武; 申德振; 李炳生
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| 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 张吉英; 赵延民; 吕有明; 申德振; 张振中; 李柄辉; 姚斌; 赵东旭; 范希武
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| 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 张吉英; 刘可为; 蒋大勇; 申德振; 赵东旭; 吕有明; 姚斌; 张振中; 李炳辉
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