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Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben;  Y. Chen;  Z.-H. Zhang;  Y. Jia;  Z. Shi and D. Li
浏览  |  Adobe PDF(2688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：100/36  |  提交时间：2022/06/13
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：133/44  |  提交时间：2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(1823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：110/38  |  提交时间：2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
浏览  |  Adobe PDF(1812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：117/41  |  提交时间：2021/07/06
High-efficiency generation of Bessel beams with transmissive metasurfaces 期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Wang, Z.;  Dong, S. H.;  Luo, W. J.;  Jia, M.;  Liang, Z. Z.;  He, Q.;  Sun, S. L.;  Zhou, L.
浏览  |  Adobe PDF(3357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：313/120  |  提交时间：2019/09/17
diffraction-free beams  meta-surfaces  reflection  Physics  
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：362/99  |  提交时间：2015/04/24
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:  You K.;  Jiang H.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Liu H. B.
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Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 2
作者:  Li Z. L.;  Shan X. N.;  Li Z. W.;  Cao J. S.;  Zhou M.;  Wang Y. D.;  Men Z. W.;  Sun C. L.
Adobe PDF(861Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：492/103  |  提交时间：2012/10/21
Erratum: Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes (Applied Physics Letters (2012) 101 (021908)) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 7
作者:  Li Z.;  Shan X.;  Cao J.;  Zhou M.;  Wang Y.;  Men Z.;  Sun C.
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