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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 2
作者: Li Z. L.; Shan X. N.; Li Z. W.; Cao J. S.; Zhou M.; Wang Y. D.; Men Z. W.; Sun C. L.
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| Erratum: Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes (Applied Physics Letters (2012) 101 (021908)) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 7
作者: Li Z.; Shan X.; Cao J.; Zhou M.; Wang Y.; Men Z.; Sun C.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| White light emitting diode by using - Ca2 P2 O7: Eu2+, Mn2+ phosphor 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 26
作者: Hao Z.; Zhang J.; Zhang X.; Sun X.; Luo Y.; Lu S.; Wang X.J.
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| White light emitting diode by using alpha-Ca2P2O7 : Eu2+, Mn2+ phosphor 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 26
作者: Hao Z. D.; Zhang J. H.; Zhang X.; Sun X. Y.; Luo Y. S.; Lu S. Z.; Wang X. J.
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| Hole transport in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23
作者: Sun J. W.; Lu Y. M.; Liu Y. C.; Shen D. Z.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Yao B.; Zhao D. X.; Fan X. W.
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