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Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 810-817
作者:  J.-E. Sui;  J.-W. Ben;  H. Zang;  K. Jiang;  S.-L. Zhang;  B.-L. Guo;  Y. Chen;  Z.-M. Shi;  Y.-P. Jia;  D.-B. Li and X.-J. Sun
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Graphene applied to GaN based materals 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 7
作者:  Xu, C.-Y.
浏览  |  Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：318/85  |  提交时间：2017/09/11
Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
浏览  |  Adobe PDF(2816Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：391/118  |  提交时间：2017/09/11
Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain properties of AlN films 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 82-87
作者:  Jia H.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.;  Li D.-B.;  Song H.;  Jiang H.;  Miao G.-Q.;  Li Z.-M.
Adobe PDF(590Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：659/130  |  提交时间：2013/03/27
Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC reactive magnetron sputtering 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  Wang X.-J.;  Song H.;  Li D.-B.;  Jiang H.;  Li Z.-M.;  Miao G.-Q.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.
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Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactive DC magnetron sputtering 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 227-232
作者:  Wang X.-J.;  Song H.;  Li D.-B.;  Jiang H.;  Li Z.-M.;  Miao G.-Q.;  Sun X.-J.;  Chen Y.-R.;  Jia H.
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：642/105  |  提交时间：2013/03/27
Study of AlN films doped by Si thermal diffusion 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 7, 页码: 768-773
作者:  Wang X.-J.;  Song H.;  Li D.-B.;  Jiang H.;  Li Z.-M.;  Miao G.-Q.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.
Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：517/77  |  提交时间：2013/03/27
Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 519-524
作者:  Jia H.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.;  Li D.-B.;  Song H.;  Jiang H.;  Miao G.-Q.;  Li Z.-M.
caj(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：637/113  |  提交时间：2013/03/27