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InGaAs-Based Well-Island Composite Quantum-Confined Structure with Superwide and Uniform Gain Distribution for Great Enhancement of Semiconductor Laser Performance 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2018, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: 4896-4902
作者:  Yu, Qingnan;  Li, Xue;  Jia, Yan;  Lu, Wei;  Zheng, Ming;  Zhang, Xing;  Ning, Yongqiang;  Wu, Jian
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tunable semiconductor lasers  well-island composite quantum-confined structure  In GaAs/GaAs material  gain characteristics  flat top  indium-rich islands  
Eradicated unintentional incorporated donor-type impurities of ZnO 期刊论文
Aip Advances, 2018, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 5
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals 期刊论文
Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090
作者:  Xu, H.;  Han, D.;  Bao, Y.;  Cheng, F.;  Ding, Z. J.;  Tan, S. J. R.;  Loh, K. P.
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Two-dimensional materials  MoSv phase transition  quantum spin Hall  effect (QSH)  scanning tunneling microscopy (STM)  single-layer mos2  generalized gradient approximation  transition-metal  dichalcogenides  molybdenum-disulfide  nanosheets  monolayer  stabilization  intercalation  1t-mos2  mote2  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Light-Emitting Devices Modulated by Multilevel Resistive Memories 期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1006-1011
作者:  Yang, X.;  Shan, C. X.;  Liu, Q.;  Jiang, M. M.;  Lu, Y. J.;  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Shen, D. Z.
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light-emitting devices  resistive random access memories  multilevel  switching  diodes  xps  emission  blue  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics  
Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals 期刊论文
Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090
作者:  Xu, H.;  Han, D.;  Bao, Y.;  Cheng, F.;  Ding, Z. J.;  Tan, S. J. R.;  Loh, K. P.
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Two-dimensional materials  MoSv phase transition  quantum spin Hall  effect (QSH)  scanning tunneling microscopy (STM)  single-layer mos2  generalized gradient approximation  transition-metal  dichalcogenides  molybdenum-disulfide  nanosheets  monolayer  stabilization  intercalation  1t-mos2  mote2  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
Investigation of regime switching from mode locking to Q-switching in a 2 um InGaSb GaAsSb quantum well laser 期刊论文
Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 8289-8295
作者:  Li, X.;  Wang, H.;  Qiao, Z. L.;  Guo, X.;  Wang, W. J.;  Ng, G. I.;  Zhang, Y.;  Xu, Y. Q.;  Niu, Z. C.;  Tong, C. Z.;  Liu, C. Y.
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saturable absorber  dot lasers  femtosecond  sesams  Optics  
Hot carriers induced quenching of defects luminescence in Si doped AlN with Al core 期刊论文
Journal of Luminescence, 2018, 卷号: 198, 页码: 178-182
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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molecular-beam epitaxy  plasmon  Optics  
基于高阶共振模式的金属表面等离子体增强型ZnO紫外探测器的制备和研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  王潇
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ZnMgO  表面等离极化激元  MBE  波长选择性  日盲探测器  
单根氧化锌微米线基电致发光研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  何高航
caj(8893Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：214/0  |  提交时间：2019/09/23
氧化锌微米线  光致发光(PL)  电致发光(EL)  发光二极管