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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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宋航 [1]
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Emerging low-dimensional materials for nanoelectromechanical systems resonators
期刊论文
Materials Research Letters, 2023, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 21-52
作者:
S. Y. Ban
;
X. C. Nie
;
Z. H. Lei
;
J. B. Yi
;
A. Y. Vinu
;
Y. Bao and Y. P. Liu
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提交时间:2023/06/14
Two-dimensional reconfigurable electronics enabled by asymmetric floating gate
期刊论文
Nano Research, 2022, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 4439-4447
作者:
T. Y. Jin
;
J. Gao
;
Y. A. Wang
;
Y. Zheng
;
S. Sun
;
L. Liu
;
M. Lin and W. Chen
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浏览/下载:112/47
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提交时间:2023/06/14
Exploring Low Power and Ultrafast Memristor on p-Type van der Waals SnS
期刊论文
Nano Letters, 2021, 卷号: 21, 期号: 20, 页码: 8800-8807
作者:
X. F. Lu
;
Y. Zhang
;
N. Wang
;
S. Luo
;
K. Peng
;
L. Wang
;
H. Chen
;
W. Gao
;
X. H. Chen
;
Y. Bao
;
G. Liang and K. P. Loh
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提交时间:2022/06/13
Laser-assisted two dimensional material electronic and optoelectronic devices
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2021, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 2599-2619
作者:
B.-W. Su
;
Z. X.-L
;
X. W
;
G. H.-W
;
Z. Y.-Z
;
L. Z.-B and T. J.-G
Adobe PDF(9853Kb)
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浏览/下载:76/25
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提交时间:2022/06/13
Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
;
C.X.Zhu
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour
期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:
B.Sun
;
T.Guo
;
G.D.Zhou
;
S.Ranjan
;
W.T.Hou
;
Y.M.Hou
;
Y.Zhao
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提交时间:2020/08/24
Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry
Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices
期刊论文
Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5
作者:
T.Guo
;
H.Elshekh
;
Z.Yu
;
B.Yu
;
D.Wang
;
M.S.Kadhim
;
Y.Z.Chen
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提交时间:2020/08/24
Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics
Light-Emitting Devices Modulated by Multilevel Resistive Memories
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1006-1011
作者:
Yang, X.
;
Shan, C. X.
;
Liu, Q.
;
Jiang, M. M.
;
Lu, Y. J.
;
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting devices
resistive random access memories
multilevel
switching
diodes
xps
emission
blue
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Optics
Physics
Overwhelming coexistence of negative differential resistance effect and RRAM
期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2018, 卷号: 20, 期号: 31, 页码: 20635-20640
作者:
Guo, T.
;
Sun, B.
;
Zhou, Y.
;
Zhao, H. B.
;
Lei, M.
;
Zhao, Y.
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浏览/下载:278/86
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提交时间:2019/09/17
resistive switching memories
film
nanoparticles
mechanisms
filaments
devices
Chemistry
Physics
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering