Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 单根氧化锌微米线基电致发光研究 | |
| 何高航 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 单崇新 ; 姜明明 |
| 2018 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所) |
| 学位授予地点 | 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所) |
| 学位名称 | 博士 |
| 关键词 | 氧化锌微米线 光致发光(PL) 电致发光(EL) 发光二极管 |
| 摘要 | 随着光电子集成、光互联、光集成的迅速发展,对微纳光电器件的需求更加迫切。氧化锌(ZnO)作为II-VI族直接宽带隙半导体材料具有六角纤锌矿结构,室温下其禁带宽度为3.37 eV,激子结合能高达60 meV,远大于室温热离化能(26 meV),且具有丰富的微纳结构,抗辐射性强、原材料丰富、低毒环保等特点。近年来ZnO微纳米线基发光器件取得了长足的进展。本论文围绕ZnO微米线基结构的可控性生长和掺杂展开研究,并对ZnO微米线基的发光器件进行了探索,取得了如下创新性成果:1.改变镓(Ga)掺杂浓度实现对Zn O微米线基电致发光器件发光光谱的调节,实现了发光波长从490 nm到700 nm波段可调的可见光区的单根Ga掺杂ZnO微米线电致发光器件。这种发光机制是来自于微米线中热辅助的离子输运。2.对于单根微米线器件采用金(Au)纳米颗粒修饰的方式,特别是采用模板蒸镀的方式对微米线进行周期性修饰,获得了可控的周期性阵列的双色发光,发光波长位于500 nm和600 nm附近。这种Au纳米颗粒调制的发光可归因于金属纳米颗粒的表面等离子体的调制。3.采用CVD方法合成了可靠并可重复的p型锑(Sb)掺杂ZnO微米线,这种方法不用引入其它催化剂,减少了催化剂对材料本身的污染。生长的p型Sb掺杂的ZnO微米线与MBE生长的高质量的n-ZnO薄膜构筑同质结发光器件实现了蓝紫发光二极管。 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/61573 |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何高航. 单根氧化锌微米线基电致发光研究[D]. 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所). 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所),2018. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 单根氧化锌微米线基电致发光研究.caj（8893KB） | 学位论文 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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