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AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  贲建伟
caj(8583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：177/0  |  提交时间：2020/08/24
AlN  表面/界面  MOCVD  高温热处理  折射率  
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
caj(9945Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：401/0  |  提交时间：2020/08/24
AlN  AlGaN  类同质外延  日盲紫外探测器  
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1
作者:  Ben,Jianwei;  Sun,Xiaojuan;  Jia,Yuping;  Jiang,Ke;  Shi,Zhiming;  Wu,You;  Kai,Cuihong;  Wang,Yong;  Luo,Xuguang;  Feng,Zhe Chuan;  Li,Dabing
收藏  |  浏览/下载：427/0  |  提交时间：2019/08/21
Refractive index  AlN  Threading dislocation density  Nanoscale strain field around dislocations  
Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides 期刊论文
Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530
作者:  Y.Chen;  Y.P.Jia;  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  D.B.Li
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gan,layer,aln,Engineering,Materials Science  
Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch 期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9
作者:  H.P.Hu;  S.J.Zhou;  H.Wan;  X.T.Liu;  N.Li;  H.H.Xu
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light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics  
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.
浏览  |  Adobe PDF(6543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：952/252  |  提交时间：2019/09/17
light-emitting-diodes  high-quality aln  temperature  stimulated-emission  2nd-order optical-response  atomic-layer epitaxy  vapor-phase epitaxy  z-scan measurement  p-type conduction  room-temperature  avalanche photodiodes  Optics  
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Kai, C. H.;  Wu, Y.;  Li, D. B.
浏览  |  Adobe PDF(4418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：492/162  |  提交时间：2019/09/17
light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography  
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  王新建;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  缪国庆;  陈一仁;  孙晓娟
caj(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：870/206  |  提交时间：2013/03/11
Aln  Gan缓冲层  晶体结构  晶粒尺寸  
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 05, 页码: 519-524
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：924/175  |  提交时间：2013/03/11
A-algan  Aln插入层  应力  拉曼光谱  光致发光  
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 82-87
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：787/140  |  提交时间：2013/03/11
金属有机物气相沉积  Aln  预通三甲基铝(Tmal)  应力