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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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研究单元&专题
中科院长春光机所知识... [5]
作者
黎大兵 [1]
孙晓娟 [1]
文献类型
期刊论文 [8]
学位论文 [2]
发表日期
2019 [5]
2018 [2]
2012 [3]
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英语 [3]
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出处
发光学报 [3]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
AlN材料中缺陷调控及物性研究
学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
贲建伟
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提交时间:2020/08/24
AlN
表面/界面
MOCVD
高温热处理
折射率
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究
学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
蒋科
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提交时间:2020/08/24
AlN
AlGaN
类同质外延
日盲紫外探测器
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1
作者:
Ben,Jianwei
;
Sun,Xiaojuan
;
Jia,Yuping
;
Jiang,Ke
;
Shi,Zhiming
;
Wu,You
;
Kai,Cuihong
;
Wang,Yong
;
Luo,Xuguang
;
Feng,Zhe Chuan
;
Li,Dabing
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提交时间:2019/08/21
Refractive index
AlN
Threading dislocation density
Nanoscale strain field around dislocations
Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides
期刊论文
Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530
作者:
Y.Chen
;
Y.P.Jia
;
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
D.B.Li
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提交时间:2020/08/24
gan,layer,aln,Engineering,Materials Science
Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch
期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9
作者:
H.P.Hu
;
S.J.Zhou
;
H.Wan
;
X.T.Liu
;
N.Li
;
H.H.Xu
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices
期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:
Li, D. B.
;
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Guo, C. L.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
temperature
stimulated-emission
2nd-order optical-response
atomic-layer epitaxy
vapor-phase epitaxy
z-scan measurement
p-type conduction
room-temperature
avalanche photodiodes
Optics
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:
Ben, J. W.
;
Sun, X. J.
;
Jia, Y. P.
;
Jiang, K.
;
Shi, Z. M.
;
Liu, H. N.
;
Wang, Y.
;
Kai, C. H.
;
Wu, Y.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
growth
temperature
sapphire
algan
efficiency
ratio
Chemistry
Crystallography
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:
王新建
;
宋航
;
黎大兵
;
蒋红
;
李志明
;
缪国庆
;
陈一仁
;
孙晓娟
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提交时间:2013/03/11
Aln
Gan缓冲层
晶体结构
晶粒尺寸
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)
期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 05, 页码: 519-524
作者:
贾辉
;
陈一仁
;
孙晓娟
;
黎大兵
;
宋航
;
蒋红
;
缪国庆
;
李志明
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提交时间:2013/03/11
A-algan
Aln插入层
应力
拉曼光谱
光致发光
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)
期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 82-87
作者:
贾辉
;
陈一仁
;
孙晓娟
;
黎大兵
;
宋航
;
蒋红
;
缪国庆
;
李志明
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提交时间:2013/03/11
金属有机物气相沉积
Aln
预通三甲基铝(Tmal)
应力