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Development of narrow band emitting phosphors for backlighting displays and solid state lighting using a clean and green energy technology 期刊论文
Journal of Luminescence, 2022, 卷号: 243, 页码: 19
作者:  S. A. Khan;  N. Z. Khan;  Y. N. Xie;  M. Rauf;  I. M. Mehmood;  J. Ahmed;  S. M. Alshehri;  M. A. M. Khan;  J. F. Zhu and S. Agathopoulos
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Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch 期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9
作者:  H.P.Hu;  S.J.Zhou;  H.Wan;  X.T.Liu;  N.Li;  H.H.Xu
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light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics  
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Gao, H. W.;  Zhou, Y.;  Zhang, S. M.;  Li, D. Y.;  Zhang, L. Q.;  Liu, J. P.;  Wang, H. B.;  Ikeda, M.;  Zheng, X. H.;  Yang, H.
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AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics