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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Centimeter-Transferable III-Nitride Membrane Enabled by Interfacial Adhesion Control for a Flexible Photosensitive Device
期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2023, 卷号: 15, 期号: 26, 页码: 31954-31965
作者:
Y. Chen, Z. Shi, S. Zhang, Y. Yue, H. Zang, J. Ben, K. Jiang, Y. Jia, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/07/01
AlScN/n-GaN Ferroelectric Memristors with Controllable ON/OFF ratios and Reversible Bipolar Resistive Switching Characteristics
期刊论文
, 2023, 页码: 1-1
作者:
M. Liu
;
S. Lu
;
Y. Jia
;
H. Zang
;
K. Jiang
;
X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/07/03
The AlN lattice-polarity inversion in a high-temperature-annealed c-oriented AlN/sapphire originated from the diffusion of Al and O atoms from sapphire
期刊论文
Nanoscale Advances, 2023, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 418-427
作者:
K. Jiang
;
J. Ben
;
X. Sun
;
Z. Shi
;
X. Wang
;
T. Fang
;
S. Zhang
;
S. Lv
;
Y. Chen
;
Y. Jia
;
H. Zang
;
M. Liu and D. Li
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提交时间:2024/07/03
Growth mechanism and electronic properties of stacking mismatch boundaries in wurtzite III-nitride material
期刊论文
Physical Review B, 2023, 卷号: 107, 期号: 16
作者:
H. Zang, Z. Shi, J. Ben, K. Jiang, Y. Chen, S. Zhang, M. Liu, T. Wu, Y. Jia, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/08/12
Tunable piezoelectric and ferroelectric responses of Al1− x Sc x N: The role of atomic arrangement
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2023, 卷号: 66, 期号: 7, 页码: 7
作者:
H. Zang, Z. M. Shi, M. R. Liu, Y. P. Jia, K. Jiang, J. W. Ben, Y. Chen, S. P. Lv, X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2024/08/12
The stacking fault annihilation in a-plane AlN during high-temperature annealing
期刊论文
CrystEngComm, 2023, 卷号: 25, 期号: 13, 页码: 1903-1909
作者:
X. Sun, J. Sui, J. Ben, H. Zang, K. Jiang, S. Zhang, S. Lv, Z. Shi, T. Wu and D. Li
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提交时间:2024/07/25
Formation mechanism of trench defects in green InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2023, 卷号: 133, 期号: 12
作者:
Z. Shi, A. Tian, X. Sun, X. Li, H. Zang, X. Su, H. Lin, P. Xu, H. Yang, J. Liu and D. Li
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提交时间:2024/07/25
Nonradiative Dynamics Induced by Vacancies in Wide-Gap III-Nitrides: Ab Initio Time-Domain Analysis
期刊论文
Journal of Physical Chemistry Letters, 2023, 卷号: 14, 期号: 29, 页码: 6719-6725
作者:
Y. Yang, Z. Shi, S. Zhang, X. Ma, J. Bai, D. Fan, H. Zang, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/07/26
The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2022, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11
作者:
Y. Chen
;
Z. M. Shi
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
H. Zang
;
Y. P. Jia
;
W. Lu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2022/06/13
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
Y. P. Jia
;
M. R. Liu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2023/06/14