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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing
期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 810-817
作者:
J.-E. Sui
;
J.-W. Ben
;
H. Zang
;
K. Jiang
;
S.-L. Zhang
;
B.-L. Guo
;
Y. Chen
;
Z.-M. Shi
;
Y.-P. Jia
;
D.-B. Li and X.-J. Sun
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提交时间:2022/06/13
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
;
臧行
;
张山丽
;
黎大兵
;
吕威
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提交时间:2021/07/06
AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
;
C.-X.Shan
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
胡光冲
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提交时间:2015/05/03
Mgzno
深紫外
等离子体
Mocvd
高性能氧化锌基发光器件研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
刘兴宇
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提交时间:2014/08/21
氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
倪佩楠
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提交时间:2014/08/21
稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
申赫
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提交时间:2014/08/21
氧化锌纳米结构新型紫外光电器件的研制
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
王飞
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提交时间:2014/08/21
氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:
赵鹏程
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提交时间:2014/03/15
Zno薄膜
P型掺杂
分子束外延
间歇性补氧
B-n共掺
氮掺杂p型ZnO相关问题研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
陈星佑
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提交时间:2013/03/01