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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Journal of Alloys and Compounds
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Ultra-broadband near-infrared Gd3MgScGa2SiO12: Cr, Yb phosphors: Photoluminescence properties and LED applications
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2022, 卷号: 920, 页码: 9
作者:
L. P. Jiang
;
X. Jiang
;
J. H. Xie
;
H. Y. Sun
;
L. L. Zhang
;
X. L. Liu
;
Z. H. Bai
;
G. C. Lv and Y. J. Su
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提交时间:2023/06/14
Impact of Al2O3 stress liner on two-dimensional SnS2 nanosheet for photodetector application
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 830, 页码: 7
作者:
X. K. Liu,X. H. Deng,X. H. Li,H. C. Chiu,Y. X. Chen,V. D. Botcha,M. Wang,W. J. Yu and C. H. Lin
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提交时间:2021/07/06
Effects of annealing temperature, thickness and substrates on optical properties of m-plane ZnO films studied by photoluminescence and temperature dependent ellipsometry
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 848, 页码: 10
作者:
Y. Liu,T. Y. He,D. H. Chen,H. Yang,I. T. Ferguson,D. Huang and Z. C. Feng
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提交时间:2021/07/06
The role of DUV laser irradiation in the optical and electrical properties of indium zinc oxide films synthesized by self-combustion
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 806, 页码: 327-334
作者:
P.Li
;
J.Duan
;
J.G.Ma
;
T.F.Wang
;
H.Y.Xu
;
Y.C.Liu
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提交时间:2020/08/24
Transparent conducting film,Indium zinc oxide,Low temperature,Laser,irradiation,Solution combustion,low-temperature,thin-films,transparent
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:
S.W.H.Chen
;
H.Y.Wang
;
C.Hu
;
Y.Chen
;
H.Wang
;
J.L.Wang
;
W.He
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提交时间:2020/08/24
Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry
Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 775, 页码: 1213-1220
作者:
Y.P.Chen
;
C.H.Zheng
;
L.Q.Hu
;
Y.R.Chen
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提交时间:2020/08/24
GaN-based ultroviolet photodetectors,ZnO nanorods modification,Screw,dislocation passivation,Photoelectric performance improvement
Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
X.K.Liu
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提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets
Photoluminescence and charge compensation effects in Lu3MgyAl5-x-ySixO12:Ce3+ phosphors for white LEDs
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 695
作者:
Qiao, J.
;
L. J. Shen
;
W. G. Xiao
;
X. Qiao
;
Z. Z. Wang
;
L. L. Gao
;
B. Li
;
Y. B. Zhou
;
X. Zhang and X. Y. Zhang
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提交时间:2018/06/13
The dominant role of excitation diffusion in energy transfer upconversion of Lu2O3: Tm3+, y(3+)
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 704
作者:
Wu, D. A.
;
Z. D. Hao
;
W. G. Xiao
;
X. Zhang
;
G. H. Pan
;
L. L. Zhang
;
Y. S. Luo
;
L. G. Zhang
;
H. F. Zhao and J. H. Zhang
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提交时间:2018/06/13