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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang;  J.L.Wang;  W.He
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Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry  
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.
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