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N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 08, 页码: 956-960
作者:  赵鹏程;  张振中;  姚斌;  李炳辉;  李贤丽
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分子束外延  MgZnO薄膜  光电性质  
Back-to-back asymmetric Schottky-type self-powered UV photodetector based on ternary alloy MgZnO 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2019, 卷号: 52, 期号: 50, 页码: 6
作者:  H.Y.Chen;  X.Y.Sun;  D.S.Yao;  X.H.Xie;  F.C.C.Ling;  S.C.Su
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MgZnO,UV PD,self-powered,asymmetric electrodes,ultraviolet photodetector,high responsivity,Physics  
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics  
Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 12, 页码: 1405-1409
作者:  李超群;  张振中;  谢修华;  陈洪宇;  申德振
caj(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:428/147  |  提交时间:2015/04/17
Mgzno  Ga掺杂  能级深度  电阻  
基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 11, 页码: 1291-1296
作者:  郑剑;  乔倩;  张振中;  王立昆;  韩舜;  张吉英;  刘益春;  王双鹏;  陈星;  姜明明;  李炳辉;  赵东旭;  刘雷;  刘可为;  单崇新;  申德振
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立方mgzno  深紫外探测器  光导增益  
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  孙华山
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Mgzno薄膜  紫外探测器  Au电极  厚度  
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  胡光冲
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Mgzno  深紫外  等离子体  Mocvd  
梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 9, 页码: 1040-1045
作者:  郑剑;  张振中;  王立昆;  韩舜;  张吉英;  刘益春;  王双鹏;  姜明明;  李炳辉;  赵东旭;  刘雷;  刘可为;  单崇新;  申德振
caj(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:478/130  |  提交时间:2015/04/17
立方mgzno  缓冲层  带隙调制  
m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文) 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 6, 页码: 678-683
作者:  郑剑;  张振中;  张吉英;  刘益春;  王双鹏;  姜明明;  陈星;  李炳辉;  赵东旭;  刘雷;  王立昆;  单崇新;  申德振
Unknown(953Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:482/108  |  提交时间:2015/04/17
立方mgzno  (110)取向  日盲紫外探测器  Mocvd  
Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 8, 页码: 922-925
作者:  李超群;  张振中;  陈洪宇;  谢修华;  申德振
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立方相mgzno  Ga掺杂  晶体结构  相分离