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Selective wet etching of Al0.7Ga0.3As layer in concentrated HCl solution for peeling off GaAs microtips 期刊论文
Solid-State Electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 1032-1035
作者:  Sun X. J.;  Hu L. Z.;  Song H.;  Li Z. M.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Miao G. Q.
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Ultraviolet Schottky detector based on epitaxial ZnO thin film 期刊论文
Solid-State Electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 679-682
作者:  Jiang D. Y.;  Zhang J. Y.;  Lu Y. M.;  Liu K. W.;  Zhao D. X.;  Zhang Z. Z.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Ultraviolet photoconductive detector with high visible rejection and fast photoresponse based on ZnO thin film 期刊论文
Solid-State Electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 5, 页码: 757-761
作者:  Liu K. W.;  Ma J. G.;  Zhang J. Y.;  Lu Y. M.;  Jiang D. Y.;  Li B. H.;  Zhao D. X.;  Zhang Z. Z.;  Yao B.;  Shen D. Z.
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Numerical analysis of the detectivity in n(+)-n-p and p(+)-p-n GaInAsSb infrared detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 1879-1891
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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Effect of material parameters on the quantum efficiency of GaInAsSb detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 625-631
作者:  Tian Y.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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