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Grain boundary-driven magnetism in aluminum nitride 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 36951, 期号: 121, 页码: 24
作者:  Z. Shi;  H. Zang;  X. Ma;  Y. Yang;  K. Jiang;  Y. Chen;  Y. Jia;  X. Sun and D. Li
浏览  |  Adobe PDF(4811Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：56/38  |  提交时间：2023/06/14
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben;  Y. Chen;  Z.-H. Zhang;  Y. Jia;  Z. Shi and D. Li
Adobe PDF(2688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：97/34  |  提交时间：2022/06/13
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：130/44  |  提交时间：2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
Adobe PDF(1812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：116/41  |  提交时间：2021/07/06
Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:  Wang, D.;  D. Han;  X. B. Li;  S. Y. Xie;  N. K. Chen;  W. Q. Tian;  S. B. Zhang and H. B. Sun
Adobe PDF(1604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：279/59  |  提交时间：2017/09/11
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/98  |  提交时间：2015/04/24
Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:  Sun J. H.;  Zhu D. H.;  Zhao J. L.;  Ikezawa M.;  Wang X. Y.;  Masumoto Y.
浏览  |  Adobe PDF(1170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：293/55  |  提交时间：2015/04/24
Erratum: Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes (Applied Physics Letters (2012) 101 (021908)) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 7
作者:  Li Z.;  Shan X.;  Cao J.;  Zhou M.;  Wang Y.;  Men Z.;  Sun C.
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：663/257  |  提交时间：2013/03/27
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：449/107  |  提交时间：2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
Adobe PDF(782Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：503/135  |  提交时间：2012/10/21