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Understanding efficiency improvements of betavoltaic batteries based on 4H-SiC, GaN, and diamond 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 10, 页码: 8
作者:  R. Z. Zheng;  J. B. Lu;  Y. Wang;  Z. Y. Chen;  X. Zhang;  X. Y. Li;  L. Liang;  L. Qin;  Y. G. Zeng;  Y. Y. Chen and Y. M. Liu
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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Temperature-dependent phase noise properties of a two-section GaSb-based mode-locked laser emitting at 2 mu m 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 14, 页码: 4
作者:  X. Li,H. Wang,Z. L. Qiao,J. X. B. Sia,W. J. Wang,X. Guo,Y. Zhang,Z. C. Niu,C. Z. Tong and C. Y. Liu
浏览  |  Adobe PDF(1524Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：137/49  |  提交时间：2021/07/06
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
Adobe PDF(1823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：108/38  |  提交时间：2021/07/06
The origin of the strong microwave absorption in black TiO2 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:  Li, K. X.;  J. L. Xu;  X. D. Yan;  L. Liu;  X. B. Chen;  Y. S. Luo;  J. He and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(1612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：321/84  |  提交时间：2017/09/11
Fabry-Perot resonance enhanced electrically pumped random lasing from ZnO films 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 107, 期号: 23, 页码: 4
作者:  Ni, P. N.;  C. X. Shan;  S. P. Wang;  Y. J. Lu;  B. H. Li and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(1350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：335/97  |  提交时间：2016/07/15
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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Nanofocusing of longitudinally polarized light using absorbance modulation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 6, 页码: 4
作者:  Li Q.;  Zhao X.;  Zhang B.;  Zheng Y.;  Zhou L. Q.;  Wang L. J.;  Wu Y. X.;  Fang Z. L.
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Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:  You K.;  Jiang H.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Liu H. B.
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