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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
Y. P. Jia
;
M. R. Liu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2023/06/14
Recent advances in optoelectronic and microelectronic devices based on ultrawide-bandgap semiconductors
期刊论文
Progress in Quantum Electronics, 2022, 卷号: 83, 页码: 29
作者:
J. L. Yang
;
K. W. Liu
;
X. Chen and D. Z. Shen
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提交时间:2023/06/14
Plasmon-enabled spectrally narrow ultraviolet luminescence device using Pt nanoparticles covered one microwire-based heterojunction
期刊论文
Optics Express, 2021, 卷号: 29, 期号: 14, 页码: 21783-21794
作者:
K. Ma
;
B. Li
;
X. Zhou
;
M. Jiang
;
Y. Liu and C. Kan
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提交时间:2022/06/13
286 nm monolithic multicomponent system
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 5
作者:
J.L.Yuan
;
Y.Jiang
;
Z.Shi
;
X.M.Gao
;
Y.J.Wang
;
X.J.Sun
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,integration,photodetectors,photonics,algan,leds,Physics
Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps
期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:
K.Jiang
;
X.J.Sun
;
J.W.Ben
;
Z.M.Shi
;
Y.P.Jia
;
Y.Wu
;
C.H.Kai
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提交时间:2020/08/24
potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices
期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:
Li, D. B.
;
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Guo, C. L.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
temperature
stimulated-emission
2nd-order optical-response
atomic-layer epitaxy
vapor-phase epitaxy
z-scan measurement
p-type conduction
room-temperature
avalanche photodiodes
Optics
Highly Desirable Photodetectors Derived from Versatile Plasmonic Nanostructures
期刊论文
Advanced Functional Materials, 2017, 卷号: 27, 期号: 45
作者:
Chen, H. Y.
;
L. X. Su
;
M. M. Jiang and X. S. Fang
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提交时间:2018/06/08
GaN directional couplers for on-chip optical interconnect
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: 32, 期号: 4
作者:
Yuan, J. L.
;
X. M. Gao
;
Y. C. Yang
;
G. X. Zhu
;
W. Yuan
;
H. W. Choi
;
Z. Y. Zhang and Y. J. Wang
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提交时间:2018/06/13
On-Chip Integration Operating Under the Extraordinary Light Detection Mode of an InGaN/GaN Diode
期刊论文
Ieee Photonics Technology Letters, 2017, 卷号: 29, 期号: 5
作者:
Yang, Y. C.
;
X. M. Gao
;
J. L. Yuan
;
Y. H. Li
;
Z. Y. Zhang and Y. J. Wang
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提交时间:2018/06/13
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24