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| Transparent ambipolar organic thin film transistors based on multilayer transparent source-drain electrodes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 6
作者: Zhang, N.; Y. S. Hu; J. Lin; Y. T. Li and X. Y. Liu
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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 3, 页码: 4
作者: Ni P. N.; Shan C. X.; Li B. H.; Shen D. Z.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Breakdown by magnetic field in a La0.7Sr0.3MnO3/MgO/Fe spin valve 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: Wu X. J.; Zhang Z. Z.; Meng J.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Investigation on the formation mechanism of p-type Li-N dual-doped ZnO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 22
作者: Zhang B. Y.; Yao B.; Li Y. F.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Shan C. X.; Zhao D. X.; Shen D. Z.
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| Ferromagnetic FeSe: Structural, electrical, and magnetic properties 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 1
作者: Feng Q. J.; Shen D. Z.; Zhang J. Y.; Li B. S.; Li B. H.; Lu Y. M.; Fan X. W.; Liang H. W.
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| F-doping effects on electrical and optical properties of ZnO nanocrystalline films 期刊论文
Applied Physics Letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 12
作者: Xu H. Y.; Liu Y. C.; Mu R.; Shao C. L.; Lu Y. M.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Bottom-contact organic field-effect transistors having low-dielectric layer under source and drain electrodes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 22, 页码: 3967-3969
作者: Yuan J. F.; Zhang J.; Wang J.; Yan X. J.; Yan D. H.; Xu W.
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