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| MOCVD growth of MgGa2O4 thin films for high-performance solar-blind UV photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 1, 页码: 6
作者: Q. C. Hou; K. W. Liu; D. Y. Han; Y. X. Zhu; X. Chen; B. H. Li; L. Liu and D. Z. Shen
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| Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者: K. Jiang; X. Sun; Y. Chen; S. Zhang; J. Ben; Y. Chen; Z.-H. Zhang; Y. Jia; Z. Shi and D. Li
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| Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者: K. Jiang; X. J. Sun; Y. X. Chen; S. L. Zhang; J. W. Ben; Y. Chen; Z. H. Zhang; Y. P. Jia; Z. M. Shi and D. B. Li
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| Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者: Jiang, D. L.; L. Li; H. Y. Chen; H. Gao; Q. Qiao; Z. K. Xu and S. J. Jiao
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H. ; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| Sensitized photo- and electroluminescence from Er complexes mixed with Ir complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 9
作者: Zhang D. Y.; Li W. L.; Chu B.; Li X.; Han L. L.; Zhu J. Z.; Li T. L.; Bi D. F.; Yang D. F.; Yan F.; Liu H. H.; Wang D.
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| Zn0.76Mg0.24O homojunction photodiode for ultraviolet detection 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 20
作者: Liu K. W.; Shen D. Z.; Shan C. X.; Zhang J. Y.; Yao B.; Zhao D. X.; Lu Y. M.; Fan X. W.
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| Zn0.76Mg0.24O homojunction photodiode for ultraviolet detection 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 期号: 91, 页码: 201106
作者: K. W. Liu; D. Z. Shen; C. X. Shan; J. Y. Zhang; B. Yao; D. X. Zhao; Y. M. Lu; X. W. Fan
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