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Numerical analysis of the detectivity in n(+)-n-p and p(+)-p-n GaInAsSb infrared detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 1879-1891
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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Effect of material parameters on the quantum efficiency of GaInAsSb detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 625-631
作者:  Tian Y.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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The analysis of the performance for P-p-n and N-n-p hetero- and homojunction GaSb/Ga0.8In0.2As0.19Sb0.81 photodetectors 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applied Research, 1999, 卷号: 174, 期号: 2, 页码: 413-430
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin J. X.
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The effect of auger mechanism on n(+)-p GaInAsSb infrared photovoltaic detectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 1999, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 656-660
作者:  Tian Y. A.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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Crystal growth, structure, and properties of new nonlinear optical materials: K(2)Ln(NO3)(5)center dot 2H(2)O (Ln = La, Ce, Pr, Nd, Sm) 期刊论文
Journal of Solid State Chemistry, 1999, 卷号: 148, 期号: 2, 页码: 302-307
作者:  Dong W. T.;  Zhang H. J.;  Su Q. A.;  Lin Y. H.;  Wang S. M.;  Zhu C. S.
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Design and fabrication of soft X-ray multilayer for broadband reflection 期刊论文
Chinese Science Bulletin, 1999, 卷号: 44, 期号: 21, 页码: 1953-1956
作者:  Wang Z. S.;  Ke C. J.;  Ma Y. Y.;  Zhang T. Q.;  Cao J. L.;  Chen X. D.
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