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| X-ray photoelectron spectroscopy measurement of n-ZnO/p-NiO heterostructure valence-band offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 2
作者: Deng R.; Yao B.; Li Y. F.; Zhao Y. M.; Li B. H.; Shan C. X.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Ultraviolet Electroluminescence from MgZnO-Based Heterojunction Light-Emitting Diodes 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2009, 卷号: 113, 期号: 7, 页码: 2980-2982
作者: Zhu H.; Shan C. X.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Yao B.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| New rhenium complexes containing 4,5-diazafluorene ligand for high-efficiency green electrophosphorescence 期刊论文
Synthetic Metals, 2009, 卷号: 159, 期号: 13, 页码: 1340-1344
作者: Li X.; Zhang D. Y.; Li W. L.; Chu B.; Han L. L.; Li T. L.; Su Z. S.; Zhu J. Z.; Wu S. H.; Chen Y. R.; Lei P.; Hu Z. Z.; Zhang Z.
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| A facile route to arsenic-doped p-type ZnO films 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 14, 页码: 3577-3580
作者: Wang S. P.; Shan C. X.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Yao B.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Top-emitting white organic light-emitting devices with a one-dimensional metallic-dielectric photonic crystal anode 期刊论文
Optics Letters, 2009, 卷号: 34, 期号: 18, 页码: 2703-2705
作者: Ji W. Y.; Zhang L. T.; Zhang T. Y.; Liu G. Q.; Xie W. F.; Liu S. Y.; Zhang H. Z.; Zhang L. Y.; Li B.
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| Annealing temperature dependent electrical and optical properties of ZnO and MgZnO films in hydrogen ambient 期刊论文
Applied Surface Science, 2009, 卷号: 255, 期号: 13-14, 页码: 6745-6749
作者: Liu W. W.; Yao B.; Li Y. F.; Li B. H.; Zheng C. J.; Zhang B. Y.; Shan C. X.; Zhang Z. Z.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.
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| Photoluminescence characteristics of ZnO clusters confined in the micropores of zeolite L 期刊论文
Materials Research Bulletin, 2009, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 600-605
作者: Wang F.; Song H. W.; Pan G. H.; Fan L. B.; Dai Q. L.; Dong B. A.; Liu H. H.; Yu J. H.; Wang X.; Li L.
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| Highly efficient photovoltaic diode based organic ultraviolet photodetector and the strong electroluminescence resulting from pure exciplex emission 期刊论文
Organic Electronics, 2009, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 352-356
作者: Zhang G.; Li W. L.; Chu B.; Su Z. S.; Yang D. F.; Yan F.; Chen Y. R.; Zhang D. Y.; Han L. L.; Wang J. B.; Liu H. H.; Che G. B.; Zhang Z. Q.; Hu Z. Z.
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| Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
作者: Li D. B.; Ma B.; Miyagawa R.; Hu W. G.; Narukawa M.; Miyake H.; Hiramatsu K.
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| Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816
作者: Hu W. G.; Ma B.; Li D. B.; Narukawa M.; Miyake H.; Hiramatsu K.
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