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Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 3
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Miyagawa R.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
作者:  Li D. B.;  Ma B.;  Miyagawa R.;  Hu W. G.;  Narukawa M.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Narukawa M.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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