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Hetero- and homoepitaxial Nd3+-doped LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy: A spectroscopic study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 7, 页码: 3699-3704
作者:  Lahoz F.;  Daran E.;  Zhang X.;  MunozYague A.;  Cases R.;  Alcala R.
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Numerical analysis of the detectivity in n(+)-n-p and p(+)-p-n GaInAsSb infrared detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 1879-1891
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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Effect of material parameters on the quantum efficiency of GaInAsSb detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 625-631
作者:  Tian Y.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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Study of overgrowth heterostructure InSb GaAs by scanning electron acoustic microscopy 期刊论文
Journal of Materials Science, 1999, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 2561-2564
作者:  Li S. W.;  Kubalek E.;  Jin Y. X.;  Jiang F. M.;  Yin Q. R.
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Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 期刊论文
Journal of Electronic Materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 563-566
作者:  Yu G. H.;  Fan X. W.;  Guan Z. P.;  Zhang J. Y.;  Zhao X. W.;  Shen D. Z.;  Zheng Z. H.;  Yang B. J.;  Jiang D. S.;  Chen Y. B.;  Zhu Z. M.
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Temperature-dependent exciton recombination in asymmetrical ZnCdSe ZnSe double quantum wells 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1999, 卷号: 32, 期号: 13, 页码: 1506-1510
作者:  Yu G. Y.;  Fan X. W.;  Zhang J. Y.;  Zheng Z. H.;  Yang B. J.;  Zhao X. W.;  Shen D. Z.;  Kong X. G.
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Transient hole-burning for systems with a noncorrelated frequency exchange 期刊论文
Optics Communications, 1999, 卷号: 162, 期号: 1—3, 页码: 148-154
作者:  Wang H. Y.;  Huang S. H.
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Design and fabrication of soft X-ray multilayer for broadband reflection 期刊论文
Chinese Science Bulletin, 1999, 卷号: 44, 期号: 21, 页码: 1953-1956
作者:  Wang Z. S.;  Ke C. J.;  Ma Y. Y.;  Zhang T. Q.;  Cao J. L.;  Chen X. D.
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