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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:
K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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提交时间:2021/07/06
High-efficiency generation of Bessel beams with transmissive metasurfaces
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Wang, Z.
;
Dong, S. H.
;
Luo, W. J.
;
Jia, M.
;
Liang, Z. Z.
;
He, Q.
;
Sun, S. L.
;
Zhou, L.
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提交时间:2019/09/17
diffraction-free beams
meta-surfaces
reflection
Physics
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:
Sun J. H.
;
Zhu D. H.
;
Zhao J. L.
;
Ikezawa M.
;
Wang X. Y.
;
Masumoto Y.
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提交时间:2015/04/24
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
You K.
;
Jiang H.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
;
Miao G. Q.
;
Liu H. B.
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提交时间:2012/10/21
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
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提交时间:2012/10/21