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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:EI
出处:Journal of Alloys and Compounds
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Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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提交时间:2021/07/06
Synthesis of Multilayer InSe0.82Te0.18 alloy for high performance near-infrared photodetector
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 815, 页码: 6
作者:
M. M. Yu,H. Li,F. Gao,Y. X. Hu,L. F. Wang,P. G. Hu and W. Feng
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提交时间:2021/07/06
Impact of Al2O3 stress liner on two-dimensional SnS2 nanosheet for photodetector application
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 830, 页码: 7
作者:
X. K. Liu,X. H. Deng,X. H. Li,H. C. Chiu,Y. X. Chen,V. D. Botcha,M. Wang,W. J. Yu and C. H. Lin
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提交时间:2021/07/06
Performance improvement of amorphous Ga 2 O 3 ultraviolet photodetector by annealing under oxygen atmosphere
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 840, 页码: 7
作者:
C. Q. Zhou,K. W. Liu,X. Chen,J. H. Feng,J. L. Yang,Z. Z. Zhang,L. Liu,Y. Xia and D. Z. Shen
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提交时间:2021/07/06
Effects of annealing temperature, thickness and substrates on optical properties of m-plane ZnO films studied by photoluminescence and temperature dependent ellipsometry
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 848, 页码: 10
作者:
Y. Liu,T. Y. He,D. H. Chen,H. Yang,I. T. Ferguson,D. Huang and Z. C. Feng
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提交时间:2021/07/06
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:
S.W.H.Chen
;
H.Y.Wang
;
C.Hu
;
Y.Chen
;
H.Wang
;
J.L.Wang
;
W.He
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提交时间:2020/08/24
Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry
Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
X.K.Liu
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提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets
Chemical states of gold doped in ZnO films and its effect on electrical and optical properties
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2014, 期号: 585, 页码: 479-484
作者:
Xu Y.
;
Yao B.
;
Li Y. F.
;
Ding Z. H.
;
Li J. C.
;
Wang H. Z.
;
Zhang Z. Z.
;
Zhang L. G.
;
Zhao H. F.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2015/04/24
Sb doping behavior and its effect on crystal structure, conductivity and photoluminescence of ZnO film in depositing and annealing processes
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 17, 页码: 5426-5430
作者:
Yang T.
;
Yao B.
;
Zhao T. T.
;
Xing G. Z.
;
Wang H.
;
Pan H. L.
;
Deng R.
;
Sui Y. R.
;
Gao L. L.
;
Wang H. Z.
;
Wu T.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21