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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Temperature Sensors Based on Negative Temperature Coefficient of ZnO Thin Films
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 卷号: 70, 期号: 11, 页码: 5856-5862
作者:
J. Jia
;
H. Zhu
;
W. Liu
;
B. Li
;
Z. Shi
;
Q. Cui and C. Xu
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提交时间:2024/07/03
GaN-Based Ultraviolet Phototransistor With Two Parallel Polarization-Doped Junctions and an Al0.20Ga0.80N Insertion Layer to Achieve Low Dark Current and High Detectivity
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2023, 页码: 6
作者:
Z. Xuan, C. S. Chu, K. K. Tian, Z. J. Zhu, Z. W. Xie, K. Jiang, Y. H. Zhang, X. J. Sun, Z. H. Zhang and D. B. Li
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提交时间:2024/07/26
A MEMS Thermopile Pirani Sensor Integrated with Composite Nanoforests for Vacuum Monitoring in Semiconductor Equipment
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 卷号: 70, 期号: 10, 页码: 5300-5305
作者:
S. Xu, M. Shi, R. Huang, C. Zhang, S. Li, C. Huang, N. Zhou and H. Mao
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提交时间:2024/07/26
High Detectivity of MetalSemiconductorMetal Ga2O3 Solar-Blind Photodetector Through Thickness-Regulated Gain
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 8, 页码: 4362-4365
作者:
Z. Zheng
;
B. Qiao
;
Z. Zhang
;
X. Huang
;
X. Xie
;
B. Li
;
X. Chen
;
K. Liu
;
L. Liu and D. Shen
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提交时间:2023/06/14
Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 6166-6170
作者:
Z. P. Liu
;
C. S. Chu
;
B. X. Wang
;
G. S. Huang
;
K. Jiang
;
Y. H. Zhang
;
X. J. Sun
;
Z. H. Zhang and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Spatiotemporal Summation and Recognition Effects for a Dual-Emitter Light-Induced Neuromorphic Device
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 期号: 1, 页码: 308-313
作者:
Yang, Y. C.
;
Shi, Z.
;
Zhu, B. C.
;
Yuan, J. L.
;
Zhu, G. X.
;
Gao, X. M.
;
Li, Y. H.
;
Zhang, Z. Y.
;
Liu, Y. H.
;
Wang, Y. J.
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提交时间:2019/09/17
Adding together behavior
dual emitter light-induced neuromorphic
device
excitatory postsynaptic voltage (EPSV)
InGaN
multiple-quantum-well diodes (MQW-diodes)
resonant summation effect
(RSE)
plasticity
synapse
transistor
Engineering
Physics
Toward Ultrahigh Red Light Responsive Organic FETs Utilizing Neodymium Phthalocyanine as Light Sensitive Material
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 1
作者:
Sun, L.
;
Y. Li
;
Q. Ren
;
W. L. Lv
;
J. P. Zhang
;
X. Luo
;
F. Y. Zhao
;
Z. Chen
;
Z. W. Wen
;
J. K. Zhong
;
Y. Q. Peng and X. Y. Liu
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提交时间:2017/09/11
The Design of Two-Step-Down Aging Test for LED Lamps Under Temperature Stress
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 3
作者:
Hao, J.
;
Q. Sun
;
Z. J. Xu
;
L. Jing
;
Y. Wang and H. L. Ke
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提交时间:2017/09/11
Simulation of pixel voltage error for a-Si TFT LCD regarding the change in LC pixel capacitance
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2001, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: 218-221
作者:
Zhu Y. F.
;
Li M. J.
;
Yuan J. F.
;
Liu C. Z.
;
Yang B. L.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21
Theoretical analysis of the detectivity in N-p and P-n GaSb/GaInAsSb infrared photodetectors
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 544-552
作者:
Tian Y.
;
Zhang B. L.
;
Zhou T. M.
;
Jiang H.
;
Jin Y. X.
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提交时间:2012/10/21