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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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研究单元&专题
中科院长春光机所知... [40]
作者
黎大兵 [1]
陈一仁 [1]
孙晓娟 [1]
王双鹏 [1]
文献类型
期刊论文 [22]
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发表日期
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2020 [1]
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Polarized Dual-Peak Radiation Mechanism and Energy-Band Characteristics of InGaAs Self-Fit Well-Cluster Composite Structure
期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2023, 卷号: 43, 期号: 10
作者:
Q. Yu, K. Li, X. Wang, J. Wu, J. Zhang, Z. Liu, J. Xing, L. Liao, H. Ji, Q. Wang and H. Li
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提交时间:2024/08/12
InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征
期刊论文
光学学报, 2023, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 205-210
作者:
于庆南
;
李可
;
王新宇
;
吴坚
;
张建伟
;
刘子键
;
邢佳童
;
廖玲
;
季慧娴
;
王青
;
李晖
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提交时间:2024/08/16
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
;
臧行
;
张山丽
;
黎大兵
;
吕威
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提交时间:2021/07/06
AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
;
C.-X.Shan
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究
学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
韩五月
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提交时间:2019/09/23
光电探测器
日盲紫外
AlGaN材料
金属有机化学气相沉积
金属-绝缘层-半导体结构
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究
学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
付英昊
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提交时间:2019/09/23
氮化镓
金属有机物气相沉积
V形坑缺陷
偏振发光二极管的设计研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者:
周昂
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提交时间:2016/04/11
发光二极管
光子晶体
偏振层
液晶
可调谐器件
数值模拟
Optical Properties Investigation of p-Type ZnO Film Based on Doping by Diffusion
期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2015, 卷号: 35, 期号: 7
作者:
F. Chen
;
D. Fang
;
S. P. Wang
;
X. Fang
;
J. L. Tang
;
H. F. Zhao
;
F. Fang
;
X. Y. Chu
;
J. H. Li
;
F. Wang
;
X. H. Wang
;
G. J. Liu
;
X. H. Ma and Z. P. Wei
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提交时间:2016/08/04
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
孙华山
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提交时间:2015/05/03
Mgzno薄膜
紫外探测器
Au电极
厚度
InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
韩智明
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提交时间:2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积
两步生长法
铟镓砷
砷化镓
缓冲层