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| Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 810-817
作者: J.-E. Sui; J.-W. Ben; H. Zang; K. Jiang; S.-L. Zhang; B.-L. Guo; Y. Chen; Z.-M. Shi; Y.-P. Jia; D.-B. Li and X.-J. Sun
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| 大功率半导体激光器抗腔面灾变性光学损伤技术综述 期刊论文
半导体光电, 2020, 卷号: 41, 期号: 05, 页码: 618-626
作者: 宋悦; 宁永强 ; 秦莉; 陈泳屹; 张金龙; 张俊; 王立军
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大功率半导体激光器 腔面灾变性光学损伤 输出功率 可靠性 |
| 全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 田灿灿
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化学气相沉积 全无机钙钛矿 光电探测器 自驱动 热稳定性 p-i-n结构 Schottky接触 |
| N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 08, 页码: 956-960
作者: 赵鹏程; 张振中; 姚斌; 李炳辉; 李贤丽
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分子束外延 MgZnO薄膜 光电性质 |
| Experiment of New Protype Group III-nitride UV Image Converter Tube and Evaluation of Detectable Distance of Missile Approach Warning System with It 期刊论文
Binggong Xuebao/Acta Armamentarii, 2017, 卷号: 38, 期号: 5
作者: Ren, B.; Z.-T. Jiang; H. Guo; F. Shi; H.-C. Cheng; X.-F. Bai; Z.-H. Shen; X.-B. Yang; Y. Zhou and M.-H. Cui
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| Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者: Wang, X.-Q.; D.-B. Li; B. Liu; Q. Sun and J.-C. Zhang
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
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石墨烯 Gan 探测器 Mocvd 肖特基接触 |
| Optical Properties Investigation of p-Type ZnO Film Based on Doping by Diffusion 期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2015, 卷号: 35, 期号: 7
作者: F. Chen; D. Fang; S. P. Wang; X. Fang; J. L. Tang; H. F. Zhao; F. Fang; X. Y. Chu; J. H. Li; F. Wang; X. H. Wang; G. J. Liu; X. H. Ma and Z. P. Wei
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| Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 孙华山
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Mgzno薄膜 紫外探测器 Au电极 厚度 |
| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
