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Brief Review of Development and Techniques for High Power Semiconductor Lasers 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2021, 卷号: 41, 期号: 1
作者:  Y. Ning;  Y. Chen;  J. Zhang;  Y. Song;  Y. Lei;  C. Qiu;  L. Liang;  P. Jia;  L. Qin and L. Wang
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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体锁模激光器  重复频率  GaSb基材料  2μm波段  
大功率半导体激光器抗腔面灾变性光学损伤技术综述 期刊论文
半导体光电, 2020, 卷号: 41, 期号: 05, 页码: 618-626
作者:  宋悦;  宁永强;  秦莉;  陈泳屹;  张金龙;  张俊;  王立军
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大功率半导体激光器  腔面灾变性光学损伤  输出功率  可靠性  
大功率半导体激光器发展及相关技术概述 期刊论文
光学学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 01, 页码: 191-200
作者:  宁永强;  陈泳屹;  张俊;  宋悦;  雷宇鑫;  邱橙;  梁磊;  贾鹏;  秦莉;  王立军
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激光器  半导体激光器  大功率  芯片技术  合束技术  
Repetition frequency variation of a 2 m GaSb-based passively mode-locked laser Invited 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 5
作者:  X. Li,H. Wang,Z. Qiao,Y. Zhang,Z. Niu,C. Tong and C. Liu
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Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:  Li Xiang;  Wang Hong;  Qiao Zhongliang;  Zhang Yu;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan;  Tong Cunzhu;  Liu Chongyang
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Gallium compounds  Antimony compounds  III-V semiconductors  Indium antimonides  Quantum well lasers  Semiconductor lasers  Semiconductor quantum wells  
2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 期号: 05, 页码: 10-14
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  徐应强;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体激光器  理想因子n  单量子阱  
AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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Experimental characterization of polarization gain properties of 808 nm semiconductor laser and analysis of energy band based on amplified spontaneous emissions from double facets 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 17
作者:  Ma M. L.;  Wu J.;  Yang M.;  Ning Y. Q.;  Shang G. Y.
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具有表面二阶金属光栅的927nm分布反馈半导体激光器的研制 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 10
作者:  秦莉;  刘云;  宁永强;  佟存柱;  曾玉刚;  王立军
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