2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究

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	2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究
	李翔; 汪宏; 乔忠良; 张宇; 徐应强; 牛智川; 佟存柱; 刘重阳
	2018
发表期刊	红外与激光工程
期号	05 页码:10-14
摘要	展示了一种低阈值(~131 A/cm~2)2μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)激光器,并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的整流结的理想因子n两部分组成。当温度从20℃升高到80℃时,激光器的总体理想因子n从4.0降低至3.3。该结果与所使用的理论模型以及独立的GaSb材料整流结(pn结、GaSb/金属结等)理想因子n的数值是相吻合的。
关键词	半导体激光器理想因子n 单量子阱
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/61232
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李翔,汪宏,乔忠良,等. 2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究[J]. 红外与激光工程,2018(05):10-14.
APA	李翔.,汪宏.,乔忠良.,张宇.,徐应强.,...&刘重阳.(2018).2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究.红外与激光工程(05),10-14.
MLA	李翔,et al."2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究".红外与激光工程 .05(2018):10-14.