2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)

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	2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)
	李翔 ; 汪宏 ; 乔忠良 ; 张宇 ; 牛智川 ; 佟存柱; 刘重阳
	2020-12-25
发表期刊	红外与激光工程
卷号	49 期号:12 页码:196-200
摘要	半导体锁模激光器产生的高重复频率的光脉冲序列在众多领域都有着广泛的应用,而对于绝大多数应用,一个固定而准确的重复频率是必须的。由于此种激光器的重复频率主要由激光器波导的有效折射率和腔长来确定,激光器制成以及解理时的不确定性就可能会给其重复频率带来偏差。为了弄清此种激光器的各种工作条件会怎样影响其重复频率从而对上述的偏差进行补偿,设计并制成了一种2μm GaSb基单量子阱锁模激光器。激光器采用两段式结构(增益区,饱和吸收体区)并可以在高达60℃实现稳定的锁模工作模式。系统地记录了此激光器重复频率随偏置条件(增益区电流,饱和吸收体区电压)以及工作温度的变化规律,并且对产生这些变化的原因进行了分析。这些工作能够让人们更加清楚地认识锁模激光器的特性,从而更好地达到各种应用所需要的重复频率。
关键词	半导体锁模激光器重复频率 GaSb基材料 2μm波段
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文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63975
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	1.新加坡南洋理工大学淡马锡实验室 2.新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院 3.海南师范大学物理与电子工程学院 4.中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 5.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	李翔,汪宏,乔忠良,等. 2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)[J]. 红外与激光工程,2020,49(12):196-200.
APA	李翔.,汪宏.,乔忠良.,张宇.,牛智川.,...&刘重阳.(2020).2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀).红外与激光工程,49(12),196-200.
MLA	李翔,et al."2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)".红外与激光工程 49.12(2020):196-200.

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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率（1704KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载