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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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Experimental characterization of polarization gain properties of 808 nm semiconductor laser and analysis of energy band based on amplified spontaneous emissions from double facets 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 17
作者:  Ma M. L.;  Wu J.;  Yang M.;  Ning Y. Q.;  Shang G. Y.
Adobe PDF(2589Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：454/100  |  提交时间：2014/05/14