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808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 09, 页码: 1793-1797
作者:  张永明;  钟景昌;  路国光;  秦莉;  赵英杰;  郝永芹;  姜晓光
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单量子阱激光器  808nm  Ingaasp  温度特性  
LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者:  李忠辉;  王向武;  杨进华;  张兴德
caj(73Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：418/78  |  提交时间：2013/03/11
金属有机化合物气相外延  宽波导  分别限制  单量子阱  无铝激光器