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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体锁模激光器  重复频率  GaSb基材料  2μm波段  
Repetition frequency variation of a 2 m GaSb-based passively mode-locked laser Invited 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 5
作者:  X. Li,H. Wang,Z. Qiao,Y. Zhang,Z. Niu,C. Tong and C. Liu
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Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:  Li Xiang;  Wang Hong;  Qiao Zhongliang;  Zhang Yu;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan;  Tong Cunzhu;  Liu Chongyang
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Gallium compounds  Antimony compounds  III-V semiconductors  Indium antimonides  Quantum well lasers  Semiconductor lasers  Semiconductor quantum wells