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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
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High power GaSb-based superluminescent diode with cascade cavity suppression waveguide geometry and ultra-low antireflection coating
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 123, 期号: 2
作者:
T. Wang, C. Yang, Y. Chen, J. Shi, H. Yu, X. Su, Y. Zhang, Y. Zhao, C. Tong, D. Wu, Y. Xu, H. Ni and Z. Niu
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提交时间:2024/07/25
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:
K. Jiang
;
X. Sun
;
Y. Chen
;
S. Zhang
;
J. Ben
;
Y. Chen
;
Z.-H. Zhang
;
Y. Jia
;
Z. Shi and D. Li
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提交时间:2022/06/13
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:
K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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提交时间:2021/07/06
The origin of the strong microwave absorption in black TiO2
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:
Li, K. X.
;
J. L. Xu
;
X. D. Yan
;
L. Liu
;
X. B. Chen
;
Y. S. Luo
;
J. He and D. Z. Shen
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提交时间:2017/09/11
Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process
期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:
Jiang, D. L.
;
L. Li
;
H. Y. Chen
;
H. Gao
;
Q. Qiao
;
Z. K. Xu and S. J. Jiao
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提交时间:2016/07/15
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
You K.
;
Jiang H.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
;
Miao G. Q.
;
Liu H. B.
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提交时间:2012/10/21
Enhancement of Raman scattering by field superposition of rough submicrometer silver particles
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 17
作者:
Zhang F.
;
Chen P.
;
Zhang L.
;
Mao S. C.
;
Lin L.
;
Tang Y. G.
;
Cui J. C.
;
Qi X. D.
;
Yang J. H.
;
Ma Y. F.
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提交时间:2012/10/21