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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Journal of Alloys and Compounds
语种:英语
文献类型:期刊论文
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Synthesis of Multilayer InSe0.82Te0.18 alloy for high performance near-infrared photodetector
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 815, 页码: 6
作者:
M. M. Yu,H. Li,F. Gao,Y. X. Hu,L. F. Wang,P. G. Hu and W. Feng
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提交时间:2021/07/06
Impact of Al2O3 stress liner on two-dimensional SnS2 nanosheet for photodetector application
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 830, 页码: 7
作者:
X. K. Liu,X. H. Deng,X. H. Li,H. C. Chiu,Y. X. Chen,V. D. Botcha,M. Wang,W. J. Yu and C. H. Lin
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提交时间:2021/07/06
Performance improvement of amorphous Ga 2 O 3 ultraviolet photodetector by annealing under oxygen atmosphere
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 840, 页码: 7
作者:
C. Q. Zhou,K. W. Liu,X. Chen,J. H. Feng,J. L. Yang,Z. Z. Zhang,L. Liu,Y. Xia and D. Z. Shen
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Effects of annealing temperature, thickness and substrates on optical properties of m-plane ZnO films studied by photoluminescence and temperature dependent ellipsometry
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 848, 页码: 10
作者:
Y. Liu,T. Y. He,D. H. Chen,H. Yang,I. T. Ferguson,D. Huang and Z. C. Feng
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提交时间:2021/07/06
The role of DUV laser irradiation in the optical and electrical properties of indium zinc oxide films synthesized by self-combustion
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 806, 页码: 327-334
作者:
P.Li
;
J.Duan
;
J.G.Ma
;
T.F.Wang
;
H.Y.Xu
;
Y.C.Liu
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提交时间:2020/08/24
Transparent conducting film,Indium zinc oxide,Low temperature,Laser,irradiation,Solution combustion,low-temperature,thin-films,transparent
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:
S.W.H.Chen
;
H.Y.Wang
;
C.Hu
;
Y.Chen
;
H.Wang
;
J.L.Wang
;
W.He
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提交时间:2020/08/24
Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry
Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 775, 页码: 1213-1220
作者:
Y.P.Chen
;
C.H.Zheng
;
L.Q.Hu
;
Y.R.Chen
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提交时间:2020/08/24
GaN-based ultroviolet photodetectors,ZnO nanorods modification,Screw,dislocation passivation,Photoelectric performance improvement
Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
X.K.Liu
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提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets
Synthesis and field-emission properties of novel hierarchical ZnO hexagonal towers
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2012, 卷号: 533, 页码: 88-92
作者:
Wang P.
;
Zhang X. T.
;
Wen J.
;
Wu L. L.
;
Gao H.
;
Zhang E.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2012/10/21