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Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:  K.Jiang;  X.J.Sun;  J.W.Ben;  Z.M.Shi;  Y.P.Jia;  Y.Wu;  C.H.Kai
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potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion  
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang;  Z.B.Qi
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van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics  
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang;  J.L.Wang;  W.He
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Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry  
Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides 期刊论文
Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530
作者:  Y.Chen;  Y.P.Jia;  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  D.B.Li
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gan,layer,aln,Engineering,Materials Science  
Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si 期刊论文
Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5043-5051
作者:  Feng, M. X.;  He, J. L.;  Sun, Q.;  Gao, H. W.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.;  Liu, J. P.;  Zhang, S. M.;  Li, D. Y.;  Zhang, L. Q.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Wang, H. B.;  Ikeda, M.;  Wang, R. X.;  Yang, H.
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high-power  gan  diodes  Optics  
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
Review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 11
作者:  Wu, Y.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Li, D. B.
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detectors  surface plasmonic  GaN  ultraviolet  resonance spectroscopy  aluminum  enhancement  detectors  losses  array  gan  Physics  
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:  Fu, Y. H.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jiang, K.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. A.;  Li, Z. M.;  Li, D. B.
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GaN  MOCVD  Defects  V-Pits  raman-scattering  quantum-wells  nitrides  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics