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Synthesis and field-emission properties of novel hierarchical ZnO hexagonal towers 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2012, 卷号: 533, 页码: 88-92
作者:  Wang P.;  Zhang X. T.;  Wen J.;  Wu L. L.;  Gao H.;  Zhang E.;  Miao G. Q.
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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Effect of epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/InP grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2010, 卷号: 506, 期号: 2, 页码: 530-532
作者:  Liu X.;  Jiang H.;  Miao G. Q.;  Song H.;  Cao L. Z.;  Li Z. M.;  Li D. B.
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Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 472, 期号: 1—2, 页码: 587-590
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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Investigation on growth related aspects of catalyst-free InP nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1—2, 页码: 832-834
作者:  Yu S. Z.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Zhang T. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Li D. B.;  Sun X. J.
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Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb0.1 grown by MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 466, 期号: 1—2, 页码: 507-511
作者:  Yu S. Z.;  Miao G. Q.;  Xie J. C.;  Jin Y. X.;  Zhang T. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.
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Effect of buffer growth temperature on crystalline quality and optical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 458, 期号: 1—2, 页码: 363-365
作者:  Zhang T.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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