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| Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者: Chen H. Y.; Liu K. W.; Jiang M. M.; Zhang Z. Z.; Xie X. H.; Wang D. K.; Liu L. ; Li B. H.; Zhao D. X.; Shan C. X.; Shen D. Z.
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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H.; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者: Xie X. H.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Wang S. P.; Jiang M. M.; Shan C. X.; Zhao D. X.; Chen H. Y.; Shen D. Z.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| High efficiency electrophosphorescence device using a thin cleaving layer in an Ir-complex doped emitter layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 25
作者: Yang D. F.; Li W. L.; Chu B.; Zhang D. Y.; Zhu J. Z.; Su Z. S.; Su W. M.; Han L. L.; Bi D. F.; Chen Y. R.; Yan F.; Liu H. H.; Wang D.
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