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Understanding efficiency improvements of betavoltaic batteries based on 4H-SiC, GaN, and diamond 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 10, 页码: 8
作者:  R. Z. Zheng;  J. B. Lu;  Y. Wang;  Z. Y. Chen;  X. Zhang;  X. Y. Li;  L. Liang;  L. Qin;  Y. G. Zeng;  Y. Y. Chen and Y. M. Liu
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Pressure-induced phase transitions in weak interlayer coupling CdPS3 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 23, 页码: 7
作者:  M. M. Niu;  H. W. Cheng;  X. L. Li;  J. Yu;  X. W. Yang;  Y. Q. Gao;  R. G. Liu;  Y. Cao;  K. Y. He;  X. J. Xie;  Q. Shen;  M. Lu;  L. Wang;  T. T. Yin and J. X. Yan
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：144/50  |  提交时间：2021/07/06
Ultrabroadband and independent polarization of optical amplification with InGaAs-based indium-rich cluster quantum-confined structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 5
作者:  M. Zheng;  Q. N. Yu;  X. Li;  H. X. Tai;  X. Zhang;  J. W. Zhang;  Y. Q. Ning and J. Wu
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The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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High efficient white organic light-emitting diodes based on triplet multiple quantum well structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 5
作者:  Zhao B.;  Su Z. S.;  Li W. L.;  Chu B.;  Jin F. M.;  Yan X. W.;  Zhang F.;  Fan D.;  Zhang T. Y.;  Gao Y.;  Wang J. B.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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X-ray photoelectron spectroscopy measurement of n-ZnO/p-NiO heterostructure valence-band offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 2
作者:  Deng R.;  Yao B.;  Li Y. F.;  Zhao Y. M.;  Li B. H.;  Shan C. X.;  Zhang Z. Z.;  Zhao D. X.;  Zhang J. Y.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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