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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
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Grain boundary-driven magnetism in aluminum nitride
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 36951, 期号: 121, 页码: 24
作者:
Z. Shi
;
H. Zang
;
X. Ma
;
Y. Yang
;
K. Jiang
;
Y. Chen
;
Y. Jia
;
X. Sun and D. Li
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浏览/下载:57/38
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提交时间:2023/06/14
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:
K. Jiang
;
X. Sun
;
Y. Chen
;
S. Zhang
;
J. Ben
;
Y. Chen
;
Z.-H. Zhang
;
Y. Jia
;
Z. Shi and D. Li
Adobe PDF(2688Kb)
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浏览/下载:107/37
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提交时间:2022/06/13
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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浏览/下载:140/47
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提交时间:2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:
K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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浏览/下载:125/42
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提交时间:2021/07/06
Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:
Wang, D.
;
D. Han
;
X. B. Li
;
S. Y. Xie
;
N. K. Chen
;
W. Q. Tian
;
S. B. Zhang and H. B. Sun
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浏览/下载:281/61
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提交时间:2017/09/11
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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浏览/下载:367/102
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提交时间:2015/04/24
Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:
Sun J. H.
;
Zhu D. H.
;
Zhao J. L.
;
Ikezawa M.
;
Wang X. Y.
;
Masumoto Y.
Adobe PDF(1170Kb)
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浏览/下载:294/56
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提交时间:2015/04/24
Erratum: Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes (Applied Physics Letters (2012) 101 (021908))
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 7
作者:
Li Z.
;
Shan X.
;
Cao J.
;
Zhou M.
;
Wang Y.
;
Men Z.
;
Sun C.
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浏览/下载:670/261
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提交时间:2013/03/27
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
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浏览/下载:454/109
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提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
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提交时间:2012/10/21