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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Improvement of both efficiency and working lifetime in organic photovoltaic devices by using bathophenanthroline/tin(IV) phthalocyanine dichloride as bilayer exciton blocking layers 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 24
作者: Zhuang T. J.; Su Z. S.; Liu Y. D.; Chu B.; Li W. L.; Wang J. B.; Jin F. M.; Yan X. W.; Zhao B.; Zhang F.; Fan D.
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| Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 2
作者: Li Z. L.; Shan X. N.; Li Z. W.; Cao J. S.; Zhou M.; Wang Y. D.; Men Z. W.; Sun C. L.
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| Erratum: Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes (Applied Physics Letters (2012) 101 (021908)) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 7
作者: Li Z.; Shan X.; Cao J.; Zhou M.; Wang Y.; Men Z.; Sun C.
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| High efficient white organic light-emitting diodes based on triplet multiple quantum well structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 5
作者: Zhao B.; Su Z. S.; Li W. L.; Chu B.; Jin F. M.; Yan X. W.; Zhang F.; Fan D.; Zhang T. Y.; Gao Y.; Wang J. B.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| Remarkable increase in the efficiency of N,N-'-dimethylquinacridone dye heavily doped organic light emitting diodes under high current density 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8
作者: Liu H. H.; Yan F.; Li W. L.; Chu B.; Su W. M.; Su Z. S.; Wang J. B.; Hu Z. Z.; Zhang Z. Q.
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| X-ray photoelectron spectroscopy measurement of n-ZnO/p-NiO heterostructure valence-band offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 2
作者: Deng R.; Yao B.; Li Y. F.; Zhao Y. M.; Li B. H.; Shan C. X.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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