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| 高能Zn离子注入CaF_2基质形成ZnO纳米粒子的机制、构型及电子结构 期刊论文
高等学校化学学报, 2005, 期号: 12, 页码: 2306-2309+2193
作者: 仇永清; 刘益春; 申德振 ; 范希武
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Zno纳米粒子 电子结构 光学性质 |
| 一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 冯秋菊; 申德振; 张吉英; 吕有明; 范希武; 李炳生
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| 籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 王志军; 吕有明; 申德振; 王之建; 李守春; 元金山; 张吉英; 范希武
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| ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长 期刊论文
物理, 2005, 期号: 09, 页码: 654-659
作者: 刘益春; 陈艳伟; 申德振
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1-x关键词zno一维纳米结构 异质结 多量子阱 |
| 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 期刊论文
发光学报, 2005, 期号: 04, 页码: 542-544
作者: 矫淑杰; 张振中; 吕有明; 申德振; 赵东旭; 张吉英; 姚斌; 范希武
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Zno薄膜 P型掺杂 P-n同质结 分子束外延 |
| 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
发明人: 张吉英; 单崇新; 张振中; 申德振; 吕有明
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| 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 期刊论文
液晶与显示, 2005, 期号: 02, 页码: 103-106
作者: 王颖; 申德振; 张吉英; 刘益春; 张振中; 吕有明; 范希武
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氮化硅薄膜 光致发光 Si团簇 量子限制效应 |
| RF磁控溅射技术制备TiO_(2-x)N_x薄膜及组成和结构研究 期刊论文
东北师大学报(自然科学版), 2005, 期号: 01, 页码: 50-53
作者: 景士伟; 刘益春; 梁宇; 马健钢; 吕有明; 申德振; 张吉英; 范希武
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Tio2-xnx Xrd Xps 吸收光谱 可见光 |
| 以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 期刊论文
发光学报, 2005, 期号: 01, 页码: 9-16
作者: 范希武; 单崇新; 羊亿; 张吉英; 申德振; 吕有明; 刘益春
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Cdse量子点 Zncdse量子点 Znses量子点 量子点的形成 |
| 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 期刊论文
液晶与显示, 2005, 期号: 01, 页码: 18-21
作者: 王颖; 申德振; 张吉英; 刘益春; 张振中; 吕有明; 范希武
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Pecvd 光致发光 Si团簇 悬键 |
