中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明)
	冯秋菊; 申德振; 张吉英; 吕有明; 范希武; 李炳生
	2005-11-16
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及用低压ＭＯＣＶＤ设备制备磁性薄膜的方法。首先放入清洗好的半绝缘衬底，在机械泵和低压控制器作用下将生长室压力控制在２．０×１０↑［３］Ｐａ－１０↑［４］Ｐａ，依次在生长室内通入由高纯氢气携带的反应源，生长温度为２５０℃－３５０℃，生长时间为３０分钟，即可在低压的条件下完成ＦｅＳｅ薄膜的生长。本发明利用低压金属有……
资助项目	1696339
申请号	200510016817.9
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11043
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	冯秋菊,申德振,张吉英,等. 一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明)[P]. 2005-11-16.

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CN200500169633900000（360KB）			开放获取	--	浏览 下载

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